Studiare
In questa sezione è possibile reperire le informazioni riguardanti l'organizzazione pratica del corso, lo svolgimento delle attività didattiche, le opportunità formative e i contatti utili durante tutto il percorso di studi, fino al conseguimento del titolo finale.
Calendario accademico
Il calendario accademico riporta le scadenze, gli adempimenti e i periodi rilevanti per la componente studentesca, personale docente e personale dell'Università. Sono inoltre indicate le festività e le chiusure ufficiali dell'Ateneo.
L’anno accademico inizia il 1° ottobre e termina il 30 settembre dell'anno successivo.
Calendario didattico
Il calendario didattico indica i periodi di svolgimento delle attività formative, di sessioni d'esami, di laurea e di chiusura per le festività.
Per l'anno 2001/2002 Nessun calendario ancora disponibile
Calendario esami
Gli appelli d'esame sono gestiti dalla Unità Operativa Segreteria Corsi di Studio Scienze e Ingegneria.
Per consultazione e iscrizione agli appelli d'esame visita il sistema ESSE3.
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Docenti
Burattini Emilio
emilio.burattini@univr.itPiccinini Nicola
piccinini@sci.univr.it +39 349 7461319Scollo Giuseppe
giuseppe . scollo at univr . it 045 802 7940Piano Didattico
Il piano didattico è l'elenco degli insegnamenti e delle altre attività formative che devono essere sostenute nel corso della propria carriera universitaria.
Selezionare il piano didattico in base all'anno accademico di iscrizione.
Il piano didattico 2001/2002 sarà disponibile entro il 2 aprile. In attesa che venga pubblicato consulta il piano dell'anno accademico in corso al seguente link.
Legenda | Tipo Attività Formativa (TAF)
TAF (Tipologia Attività Formativa) Tutti gli insegnamenti e le attività sono classificate in diversi tipi di attività formativa, indicati da una lettera.
Fisica dei dispositivi integrati (2004/2005)
Codice insegnamento
4S00034
Docente
Crediti
5
Lingua di erogazione
Italiano
Settore Scientifico Disciplinare (SSD)
FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Periodo
1° Q - 2° anno e successivi dal 27-set-2004 al 26-nov-2004.
Sede
VERONA
Obiettivi formativi
Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandolgli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.
Programma
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Richiami di Fisica 1 e 2: campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura
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Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame): Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione
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Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori: struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori
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Effetto Hall
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Cenni alla teoria a bande: banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande
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Giunzione p-n: giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown
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Diodo a giunzione: circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione
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(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati: diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato
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Transistor a effetto di campo: MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore
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Transistor bipolare a giunzione: non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità
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Altri dispositivi a semiconduttore: fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni
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Circuiti digitali elementari: gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out
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(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti
Il corso viene offerto al I periodo del quarto e quinto anno del Corso di Laurea in Informatica (vecchio ordinamento) e al I periodo del primo anno del Corso di Laurea Specialistica in Informatica e comporta un impegno di 40 ore di lezione frontale.
Autore | Titolo | Casa editrice | Anno | ISBN | Note |
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Paolo Spirito | Elettronica digitale (Edizione 1) | McGraw-Hill | 1998 | 8838607664 | |
Jacob Millman, Christos C. Halkias | Microelettronica (Edizione 1) | Bollati-Boringhieri | 1997 | 8833950476 | |
Jacob Millman, Arvin Grabel | Microelettronica (Edizione 2) | McGraw-Hill | 1994 | 8838606781 |
Modalità d'esame
Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.
Materiale e documenti
- Dispense delle lezioni (zip, it, 7214 KB, 28/09/04)
- Errata Corrige (html, it, 5 KB, 31/01/05)
- Modalità d'esame (html, it, 0 KB, 23/02/05)
- Programma (html, it, 5 KB, 23/02/05)
Tipologia di Attività formativa D e F
Offerta formativa da definire
Prospettive
Avvisi degli insegnamenti e del corso di studio
Per la comunità studentesca
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