Studying at the University of Verona
Here you can find information on the organisational aspects of the Programme, lecture timetables, learning activities and useful contact details for your time at the University, from enrolment to graduation.
Academic calendar
The academic calendar shows the deadlines and scheduled events that are relevant to students, teaching and technical-administrative staff of the University. Public holidays and University closures are also indicated. The academic year normally begins on 1 October each year and ends on 30 September of the following year.
Course calendar
The Academic Calendar sets out the degree programme lecture and exam timetables, as well as the relevant university closure dates..
Period | From | To |
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1° | Sep 30, 2002 | Nov 29, 2002 |
2° | Jan 13, 2003 | Mar 14, 2003 |
3° | Apr 7, 2003 | Jun 13, 2003 |
Session | From | To |
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First term | Dec 9, 2002 | Dec 20, 2002 |
Second term | Mar 24, 2003 | Apr 4, 2003 |
Third term | Jun 23, 2003 | Jul 4, 2003 |
First extra term | Jul 7, 2003 | Jul 18, 2003 |
Second extra term | Sep 1, 2003 | Sep 12, 2003 |
Third extra term | Sep 15, 2003 | Sep 26, 2003 |
Period | From | To |
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Easter Holidays | Apr 18, 2003 | Apr 27, 2003 |
Exam calendar
Exam dates and rounds are managed by the relevant Science and Engineering Teaching and Student Services Unit.
To view all the exam sessions available, please use the Exam dashboard on ESSE3.
If you forgot your login details or have problems logging in, please contact the relevant IT HelpDesk, or check the login details recovery web page.
Academic staff
Burattini Emilio
Piccinini Nicola

Rossato Rosalba

Scollo Giuseppe
Study Plan
The Study Plan includes all modules, teaching and learning activities that each student will need to undertake during their time at the University. Please select your Study Plan based on your enrolment year.
Modules | Credits | TAF | SSD |
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Modules | Credits | TAF | SSD |
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Modules | Credits | TAF | SSD |
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4° Year activated in the A.Y. 2005/2006
Modules | Credits | TAF | SSD |
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5° Year activated in the A.Y. 2006/2007
Modules | Credits | TAF | SSD |
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Modules | Credits | TAF | SSD |
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Legend | Type of training activity (TTA)
TAF (Type of Educational Activity) All courses and activities are classified into different types of educational activities, indicated by a letter.
The Physics of Integrated Devices (2005/2006)
Teaching code
4S00034
Teacher
Credits
5
Language
Italian
Scientific Disciplinary Sector (SSD)
FIS/01 - EXPERIMENTAL PHYSICS
Period
First four month term for the second and later years dal Oct 3, 2005 al Dec 2, 2005.
Location
VERONA
Learning outcomes
Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandogli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.
Program
Richiami di Fisica 1 e 2:
campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura
Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame):
Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione
Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori:
struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori
Effetto Hall
Cenni alla teoria a bande:
banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande
Giunzione p-n:
giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown
Diodo a giunzione:
circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione
(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati:
diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato
Transistor a effetto di campo:
MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore
Transistor bipolare a giunzione:
non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità
Altri dispositivi a semiconduttore:
fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni
Circuiti digitali elementari:
gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out
(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti
Author | Title | Publishing house | Year | ISBN | Notes |
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Jacob Millman | Circuiti e sistemi microelettronici (Edizione 1) | Bollati-Boringhieri | 1994 | 8833950026 | |
Paolo Spirito | Elettronica digitale (Edizione 1) | McGraw-Hill | 1998 | 8838607664 | |
Jacob Millman, Christos C. Halkias | Microelettronica (Edizione 1) | Bollati-Boringhieri | 1997 | 8833950476 | |
Jacob Millman, Arvin Grabel | Microelettronica (Edizione 2) | McGraw-Hill | 1994 | 8838606781 | |
Giovanni Soncini | Tecnologie microelettroniche (Edizione 1) | Boringhieri | 1986 | 8833953955 |
Examination Methods
Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.
Type D and Type F activities
Modules not yet included
Career prospects
Module/Programme news
News for students
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