Studiare
In questa sezione è possibile reperire le informazioni riguardanti l'organizzazione pratica del corso, lo svolgimento delle attività didattiche, le opportunità formative e i contatti utili durante tutto il percorso di studi, fino al conseguimento del titolo finale.
Piano Didattico
Queste informazioni sono destinate esclusivamente agli studenti e alle studentesse già iscritti a questo corso.Se sei un nuovo studente interessato all'immatricolazione, trovi le informazioni sul percorso di studi alla pagina del corso:
Laurea magistrale in Ingegneria e scienze informatiche - Immatricolazione dal 2025/2026Il piano didattico è l'elenco degli insegnamenti e delle altre attività formative che devono essere sostenute nel corso della propria carriera universitaria.
Selezionare il piano didattico in base all'anno accademico di iscrizione.
1° Anno
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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2° Anno Attivato nell'A.A. 2010/2011
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Tre insegnamenti a scelta tra i seguenti
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Tre insegnamenti a scelta tra i seguenti
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Legenda | Tipo Attività Formativa (TAF)
TAF (Tipologia Attività Formativa) Tutti gli insegnamenti e le attività sono classificate in diversi tipi di attività formativa, indicati da una lettera.
Fisica dei dispositivi integrati (2010/2011)
Codice insegnamento
4S00034
Docente
Coordinatore
Crediti
6
Lingua di erogazione
Italiano
Settore Scientifico Disciplinare (SSD)
FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Periodo
I semestre dal 4 ott 2010 al 31 gen 2011.
Obiettivi formativi
Il corso introduce i principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati insegnando allo studente ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici che implementano uno schema logico e mettendolo in grado di confrontare le famiglie logiche in termini dei parametri fisici che ne caratterizzano il comportamento.
Programma
Richiami di Fisica Classica e di Fisica Atomica: lavoro ed energia, campo elettrico e potenziale, corrente elettrica, legge di Ohm, circuiti lineari resistività e dipendenza dalla temperatura in metalli e semiconduttori, modello di Bohr, tavola periodica degli elementi
Struttura cristallina e proprietà elettriche di metalli, semiconduttori e semiconduttori drogati: modello a gas di elettroni nei metalli, modello a legame nei semiconduttori, concetto di lacuna, semiconduttori drogati, cenni alla teoria a bande, corrente di conduzione e di diffusione
Giunzione p-n: giunzione non polarizzata e polarizzata, ddp di contatto, caratteristica tensione-corrente in polarizzazione diretta e inversa, diodo a giunzione, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione
Transitor a effetto di campo e invertitori a NMOS e CMOS: MOSFET, tecniche di fabbricazione, curve di uscita e di trasferimento, invertitori a MOSFET e CMOS, caratteristiche di trasferimento, margini di rumore, tempi di commutazione
Transistor bipolari a giunzione e invertitore RTL: BJT, curve di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, invertitore RTL, caratteristica di traferimento e margini di rumore, tempi di commutazione
Circuiti digitali elementari in tecnologia MOS, CMOS, bipolare, ECL: NOR e NAND a MOSFET e a CMOS, NAND DTL, HTL, TTL, OR/NOR ECL
Confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out, margini di rumore
Esercitazioni di laboratorio: caratterizzazione di porte logiche con Spice, sintesi fisica su porte logiche
Autore | Titolo | Casa editrice | Anno | ISBN | Note |
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Paolo Spirito | Elettronica digitale (Edizione 1) | McGraw-Hill | 1998 | 8838607664 | |
Jacob Millman, Christos C. Halkias | Microelettronica (Edizione 1) | Bollati-Boringhieri | 1997 | 8833950476 | |
Jacob Millman, Arvin Grabel | Microelettronica (Edizione 2) | McGraw-Hill | 1994 | 8838606781 | |
Giovanni Soncini | Tecnologie microelettroniche (Edizione 1) | Boringhieri | 1986 | 8833953955 |
Modalità d'esame
Orale
Materiale e documenti
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Dispense laboratorio (pdf, it, 313 KB, 10/1/10)
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Dispense teoria (zip, it, 7214 KB, 10/1/10)
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Errata corrige-dispense teoria (rtf, it, 4 KB, 10/1/10)