Studiare
In questa sezione è possibile reperire le informazioni riguardanti l'organizzazione pratica del corso, lo svolgimento delle attività didattiche, le opportunità formative e i contatti utili durante tutto il percorso di studi, fino al conseguimento del titolo finale.
Calendario accademico
Il calendario accademico riporta le scadenze, gli adempimenti e i periodi rilevanti per la componente studentesca, personale docente e personale dell'Università. Sono inoltre indicate le festività e le chiusure ufficiali dell'Ateneo.
L’anno accademico inizia il 1° ottobre e termina il 30 settembre dell'anno successivo.
Calendario didattico
Il calendario didattico indica i periodi di svolgimento delle attività formative, di sessioni d'esami, di laurea e di chiusura per le festività.
Periodo | Dal | Al |
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1° | 30-set-2002 | 29-nov-2002 |
2° | 13-gen-2003 | 14-mar-2003 |
3° | 7-apr-2003 | 13-giu-2003 |
Sessione | Dal | Al |
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Prima sessione | 9-dic-2002 | 20-dic-2002 |
Seconda Sessione | 24-mar-2003 | 4-apr-2003 |
Terza Sessione | 23-giu-2003 | 4-lug-2003 |
Prima Sessione Straordinaria | 7-lug-2003 | 18-lug-2003 |
Seconda Sessione Straordinaria | 1-set-2003 | 12-set-2003 |
Terza Sessione Straordinaria | 15-set-2003 | 26-set-2003 |
Periodo | Dal | Al |
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Vacanze pasquali | 18-apr-2003 | 27-apr-2003 |
Calendario esami
Gli appelli d'esame sono gestiti dalla Unità Operativa Segreteria Corsi di Studio Scienze e Ingegneria.
Per consultazione e iscrizione agli appelli d'esame visita il sistema ESSE3.
Per problemi inerenti allo smarrimento della password di accesso ai servizi on-line si prega di rivolgersi al supporto informatico della Scuola o al servizio recupero credenziali
Docenti
Burattini Emilio
Piccinini Nicola

Rossato Rosalba

Scollo Giuseppe
Piano Didattico
Il piano didattico è l'elenco degli insegnamenti e delle altre attività formative che devono essere sostenute nel corso della propria carriera universitaria.
Selezionare il piano didattico in base all'anno accademico di iscrizione.
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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2° Anno Attivato nell'A.A. 2003/2004
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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4° Anno Attivato nell'A.A. 2005/2006
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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5° Anno Attivato nell'A.A. 2006/2007
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Legenda | Tipo Attività Formativa (TAF)
TAF (Tipologia Attività Formativa) Tutti gli insegnamenti e le attività sono classificate in diversi tipi di attività formativa, indicati da una lettera.
Fisica dei dispositivi integrati (2005/2006)
Codice insegnamento
4S00034
Docente
Crediti
5
Lingua di erogazione
Italiano
Settore Scientifico Disciplinare (SSD)
FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Periodo
1° Q - 2° anno e successivi dal 3-ott-2005 al 2-dic-2005.
Sede
VERONA
Obiettivi formativi
Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandogli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.
Programma
Richiami di Fisica 1 e 2:
campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura
Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame):
Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione
Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori:
struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori
Effetto Hall
Cenni alla teoria a bande:
banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande
Giunzione p-n:
giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown
Diodo a giunzione:
circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione
(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati:
diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato
Transistor a effetto di campo:
MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore
Transistor bipolare a giunzione:
non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità
Altri dispositivi a semiconduttore:
fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni
Circuiti digitali elementari:
gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out
(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti
Autore | Titolo | Casa editrice | Anno | ISBN | Note |
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Jacob Millman | Circuiti e sistemi microelettronici (Edizione 1) | Bollati-Boringhieri | 1994 | 8833950026 | |
Paolo Spirito | Elettronica digitale (Edizione 1) | McGraw-Hill | 1998 | 8838607664 | |
Jacob Millman, Christos C. Halkias | Microelettronica (Edizione 1) | Bollati-Boringhieri | 1997 | 8833950476 | |
Jacob Millman, Arvin Grabel | Microelettronica (Edizione 2) | McGraw-Hill | 1994 | 8838606781 | |
Giovanni Soncini | Tecnologie microelettroniche (Edizione 1) | Boringhieri | 1986 | 8833953955 |
Modalità d'esame
Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.
Tipologia di Attività formativa D e F
Insegnamenti non ancora inseriti
Prospettive
Avvisi degli insegnamenti e del corso di studio
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