Studiare

In questa sezione è possibile reperire le informazioni riguardanti l'organizzazione pratica del corso, lo svolgimento delle attività didattiche, le opportunità formative e i contatti utili durante tutto il percorso di studi, fino al conseguimento del titolo finale.

A.A. 2005/2006

Calendario accademico

Il calendario accademico riporta le scadenze, gli adempimenti e i periodi rilevanti per la componente studentesca, personale docente e personale dell'Università. Sono inoltre indicate le festività e le chiusure ufficiali dell'Ateneo.
L’anno accademico inizia il 1° ottobre e termina il 30 settembre dell'anno successivo.

Calendario accademico

Calendario didattico

Il calendario didattico indica i periodi di svolgimento delle attività formative, di sessioni d'esami, di laurea e di chiusura per le festività.

Anno accademico:
Definizione dei periodi di lezione
Periodo Dal Al
Periodo zero 19-set-2005 10-ott-2005
1° Q - 2° anno e successivi 3-ott-2005 2-dic-2005
1° Q - 1° Anno 17-ott-2005 2-dic-2005
2° Q 8-gen-2006 9-mar-2006
3° Q 3-apr-2006 9-giu-2006
Sessioni degli esami
Sessione Dal Al
Esami periodo 0 17-ott-2005 21-ott-2005
I Sessione esami 12-dic-2005 23-dic-2005
II Sessione esami 20-mar-2006 31-mar-2006
Sessione estiva 19-giu-2006 28-lug-2006
Sessione autunnale 4-set-2006 29-set-2006
Sessioni di lauree
Sessione Dal Al
Sessione straordinaria 14-dic-2005 14-dic-2005
Sessione invernale 15-mar-2006 15-mar-2006
Sessione estiva 19-lug-2006 19-lug-2006
Sessione autunnale 13-set-2006 13-set-2006
Vacanze
Periodo Dal Al
Festa di tutti i Santi 1-nov-2005 1-nov-2005
Immacolata Concezione 8-dic-2005 8-dic-2005
Vacanze Natalizie 23-dic-2005 7-gen-2006
Vacanze Pasquali 13-apr-2006 19-apr-2006
Festa della Liberazione 25-apr-2006 25-apr-2006
Festa dei Lavoratori 1-mag-2006 1-mag-2006
Festività Santo Patrono 21-mag-2006 21-mag-2006
Festa della Repubblica 2-giu-2006 2-giu-2006
Vacanze Estive 31-lug-2006 31-ago-2006

Calendario esami

Gli appelli d'esame sono gestiti dalla Unità Operativa Didattica e Studenti Scienze e Ingegneria.
Per consultazione e iscrizione agli appelli d'esame visita il sistema ESSE3.
Per problemi inerenti allo smarrimento della password di accesso ai servizi on-line si prega di rivolgersi al supporto informatico della Scuola o al servizio recupero credenziali

Calendario esami

Per dubbi o domande leggi le risposte alle domande più frequenti F.A.Q. Iscrizione Esami

Docenti

B C D F G M O P Q R S

Bellin Gianluigi

gianluigi.bellin@univr.it +39 045 802 7969

Belussi Alberto

alberto.belussi@univr.it +39 045 802 7980

Bonacina Maria Paola

mariapaola.bonacina@univr.it +39 045 802 7046

Burattini Emilio

emilio.burattini@univr.it

Combi Carlo

carlo.combi@univr.it 045 802 7985

Cristani Matteo

matteo.cristani@univr.it 045 802 7983

De Marchi Stefano

stefano.demarchi@univr.it 045 8027978

Drago Nicola

nicola.drago@univr.it 045 802 7081

Ferro Ruggero

ruggero.ferro@univr.it 045 802 7909

Fontana Federico

federico.fontana@univr.it +39 045 802 7032

Fummi Franco

franco.fummi@univr.it 045 802 7994

Giacobazzi Roberto

roberto.giacobazzi@univr.it +39 045 802 7995

Gregorio Enrico

Enrico.Gregorio@univr.it 045 802 7937

Manca Vincenzo

vincenzo.manca@univr.it 045 802 7981

Masini Andrea

andrea.masini@univr.it 045 802 7922

Mastroeni Isabella

isabella.mastroeni@univr.it +39 045 802 7089

Merro Massimo

massimo.merro@univr.it 045 802 7992

Monti Francesca

francesca.monti@univr.it 045 802 7910

Morato Laura Maria

laura.morato@univr.it 045 802 7904

Murino Vittorio

vittorio.murino@univr.it 045 802 7996

Orlandi Giandomenico

giandomenico.orlandi at univr.it 045 802 7986

Pica Angelo

angelo.pica@univr.it

Piccinini Nicola

piccinini@sci.univr.it +39 349 7461319

Posenato Roberto

roberto.posenato@univr.it +39 045 802 7967

Pravadelli Graziano

graziano.pravadelli@univr.it +39 045 802 7081

Quaglia Davide

davide.quaglia@univr.it +39 045 802 7811
Foto,  21 marzo 2006

Rossato Rosalba

rossato@sci.univr.it +39 045 802 7077

Rossignoli Cecilia

cecilia.rossignoli@univr.it 045 802 8173
Giuseppe Scollo in Waddenzee 1987,  18 febbraio 2005

Scollo Giuseppe

giuseppe . scollo at univr . it 045 802 7940

Segala Roberto

roberto.segala@univr.it 045 802 7997

Solitro Ugo

ugo.solitro@univr.it +39 045 802 7977

Spoto Nicola Fausto

fausto.spoto@univr.it +39 045 8027940

Piano Didattico

Il piano didattico è l'elenco degli insegnamenti e delle altre attività formative che devono essere sostenute nel corso della propria carriera universitaria.
Selezionare il piano didattico in base all'anno accademico di iscrizione.

InsegnamentiCreditiTAFSSD
5
A
(INF/01)
InsegnamentiCreditiTAFSSD
InsegnamentiCreditiTAFSSD
InsegnamentiCreditiTAFSSD

1° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD
5
A
(INF/01)

2° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD

3° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD

4° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD
Insegnamenti Crediti TAF SSD
Tra gli anni: 4°- 5°Tre insegnamenti a scelta tra i seguenti
5
S
(MAT/01)
5
S
(MAT/02)

Legenda | Tipo Attività Formativa (TAF)

TAF (Tipologia Attività Formativa) Tutti gli insegnamenti e le attività sono classificate in diversi tipi di attività formativa, indicati da una lettera.




SStage e tirocini presso imprese, enti pubblici o privati, ordini professionali

Codice insegnamento

4S00034

Crediti

5

Settore Scientifico Disciplinare (SSD)

FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE

Lingua di erogazione

Italiano

Periodo

1° Q - 2° anno e successivi dal 3-ott-2005 al 2-dic-2005.

Obiettivi formativi

Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandogli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.

Programma

Richiami di Fisica 1 e 2:

campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura

Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame):

Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione

Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori:

struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori

Effetto Hall

Cenni alla teoria a bande:

banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande

Giunzione p-n:

giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown

Diodo a giunzione:

circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione

(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati:

diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato

Transistor a effetto di campo:

MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore

Transistor bipolare a giunzione:

non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità

Altri dispositivi a semiconduttore:

fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni

Circuiti digitali elementari:

gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out

(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti

Bibliografia

Testi di riferimento
Autore Titolo Casa editrice Anno ISBN Note
Jacob Millman Circuiti e sistemi microelettronici (Edizione 1) Bollati-Boringhieri 1994 8833950026
Paolo Spirito Elettronica digitale (Edizione 1) McGraw-Hill 1998 8838607664
Jacob Millman, Christos C. Halkias Microelettronica (Edizione 1) Bollati-Boringhieri 1997 8833950476
Jacob Millman, Arvin Grabel Microelettronica (Edizione 2) McGraw-Hill 1994 8838606781
Giovanni Soncini Tecnologie microelettroniche (Edizione 1) Boringhieri 1986 8833953955

Modalità d'esame

Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.

Tipologia di Attività formativa D e F

Anno accademico:

Insegnamenti non ancora inseriti

Prospettive


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