Studiare
In questa sezione è possibile reperire le informazioni riguardanti l'organizzazione pratica del corso, lo svolgimento delle attività didattiche, le opportunità formative e i contatti utili durante tutto il percorso di studi, fino al conseguimento del titolo finale.
Calendario accademico
Il calendario accademico riporta le scadenze, gli adempimenti e i periodi rilevanti per la componente studentesca, personale docente e personale dell'Università. Sono inoltre indicate le festività e le chiusure ufficiali dell'Ateneo.
L’anno accademico inizia il 1° ottobre e termina il 30 settembre dell'anno successivo.
Calendario didattico
Il calendario didattico indica i periodi di svolgimento delle attività formative, di sessioni d'esami, di laurea e di chiusura per le festività.
Periodo | Dal | Al |
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1° Q - 2° anno e successivi | 29-set-2003 | 28-nov-2003 |
2° Q | 12-gen-2004 | 12-mar-2004 |
3° Q | 5-apr-2004 | 11-giu-2004 |
Sessione | Dal | Al |
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Sessione straordinaria | 17-dic-2003 | 17-dic-2003 |
Sessione invernale | 17-mar-2004 | 17-mar-2004 |
Sessione estiva | 22-lug-2004 | 22-lug-2004 |
Sessione autunnale | 22-set-2004 | 22-set-2004 |
Periodo | Dal | Al |
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Festa di tutti i santi | 1-nov-2003 | 1-nov-2003 |
Vacanze natalizie | 22-dic-2003 | 6-gen-2004 |
Vacanze Pasquali | 8-apr-2004 | 13-apr-2004 |
Festa del Patrono S. Zeno | 12-apr-2004 | 12-apr-2004 |
Festa del lavoro | 1-mag-2004 | 1-mag-2004 |
Festa della Repubblica | 2-giu-2004 | 2-giu-2004 |
Vacanze estive | 26-lug-2004 | 31-ago-2004 |
Calendario esami
Gli appelli d'esame sono gestiti dalla Unità Operativa Segreteria Corsi di Studio Scienze e Ingegneria.
Per consultazione e iscrizione agli appelli d'esame visita il sistema ESSE3.
Per problemi inerenti allo smarrimento della password di accesso ai servizi on-line si prega di rivolgersi al supporto informatico della Scuola o al servizio recupero credenziali
Docenti
Piano Didattico
Il piano didattico è l'elenco degli insegnamenti e delle altre attività formative che devono essere sostenute nel corso della propria carriera universitaria.
Selezionare il piano didattico in base all'anno accademico di iscrizione.
2° Anno Attivato nell'A.A. 2004/2005
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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4° Anno Attivato nell'A.A. 2006/2007
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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5° Anno Attivato nell'A.A. 2007/2008
Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Insegnamenti | Crediti | TAF | SSD |
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Legenda | Tipo Attività Formativa (TAF)
TAF (Tipologia Attività Formativa) Tutti gli insegnamenti e le attività sono classificate in diversi tipi di attività formativa, indicati da una lettera.
Fisica dei dispositivi integrati (2006/2007)
Codice insegnamento
4S00034
Docente
Crediti
5
Lingua di erogazione
Italiano
Settore Scientifico Disciplinare (SSD)
FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Periodo
1° Q dal 2-ott-2006 al 1-dic-2006.
Sede
VERONA
Obiettivi formativi
Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandogli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.
Programma
Richiami di Fisica 1 e 2:
campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura
Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame):
Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione
Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori:
struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori
Effetto Hall
Cenni alla teoria a bande:
banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande
Giunzione p-n:
giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown
Diodo a giunzione:
circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione
(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati:
diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato
Transistor a effetto di campo:
MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore
Transistor bipolare a giunzione:
non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità
Altri dispositivi a semiconduttore:
fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni
Circuiti digitali elementari:
gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out
(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti
Modalità d'esame
Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.
Materiale e documenti
- Dispense (zip, it, 7214 KB, 04/10/06)
- Errata Corrige (html, it, 5 KB, 04/10/06)
Tipologia di Attività formativa D e F
Documenti e avvisi
- Documento ufficiale (pdf, it, 21 KB, 25/06/03)
Insegnamenti non ancora inseriti
Prospettive
Avvisi degli insegnamenti e del corso di studio
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