Studiare

In questa sezione è possibile reperire le informazioni riguardanti l'organizzazione pratica del corso, lo svolgimento delle attività didattiche, le opportunità formative e i contatti utili durante tutto il percorso di studi, fino al conseguimento del titolo finale.

A.A. 2008/2009

Calendario accademico

Il calendario accademico riporta le scadenze, gli adempimenti e i periodi rilevanti per la componente studentesca, personale docente e personale dell'Università. Sono inoltre indicate le festività e le chiusure ufficiali dell'Ateneo.
L’anno accademico inizia il 1° ottobre e termina il 30 settembre dell'anno successivo.

Calendario accademico

Calendario didattico

Il calendario didattico indica i periodi di svolgimento delle attività formative, di sessioni d'esami, di laurea e di chiusura per le festività.

Anno accademico:
Definizione dei periodi di lezione
Periodo Dal Al
1° Q 2-ott-2008 19-dic-2008
2° Q 26-gen-2009 27-mar-2009
3° Q 20-apr-2009 19-giu-2009
Sessioni degli esami
Sessione Dal Al
I Sessione esami 7-gen-2009 23-gen-2009
II Sessione esami 30-mar-2009 17-apr-2009
Sessione estiva 29-giu-2009 7-ago-2009
Sessione autunnale 31-ago-2009 25-set-2009
Sessione Straord. solo 1° anno 1-feb-2010 28-feb-2010
Sessioni di lauree
Sessione Dal Al
Sessione straordinaria 10-dic-2008 10-dic-2008
Sessione invernale 11-mar-2009 11-mar-2009
Sessione estiva 24-lug-2009 24-lug-2009
Sessione autunnale 29-set-2009 29-set-2009
Vacanze
Periodo Dal Al
Festa di Ognissanti 1-nov-2008 1-nov-2008
Festa dell'Immacolata Concezione 8-dic-2008 8-dic-2008
Vacanze di Natale 22-dic-2008 6-gen-2009
Vacanze di Pasqua 10-apr-2009 14-apr-2009
Festa della Liberazione 25-apr-2009 25-apr-2009
Festa del Lavoro 1-mag-2009 1-mag-2009
Festa del Santo Patrono 21-mag-2009 21-mag-2009
Festa della Repubblica 2-giu-2009 2-giu-2009
Vacanze estive 8-ago-2009 16-ago-2009

Calendario esami

Gli appelli d'esame sono gestiti dalla Unità Operativa Didattica e Studenti Scienze e Ingegneria.
Per consultazione e iscrizione agli appelli d'esame visita il sistema ESSE3.
Per problemi inerenti allo smarrimento della password di accesso ai servizi on-line si prega di rivolgersi al supporto informatico della Scuola o al servizio recupero credenziali

Calendario esami

Per dubbi o domande leggi le risposte alle domande più frequenti F.A.Q. Iscrizione Esami

Docenti

A B C D F G M P S V

Acquaviva Andrea

andrea.acquaviva@univr.it +39 045 802 7059

Bellin Gianluigi

gianluigi.bellin@univr.it +39 045 802 7969

Bonacina Maria Paola

mariapaola.bonacina@univr.it +39 045 802 7046

Combi Carlo

carlo.combi@univr.it 045 802 7985

Cristani Matteo

matteo.cristani@univr.it 045 802 7983

Di Pierro Alessandra

alessandra.dipierro@univr.it +39 045 802 7971

Fummi Franco

franco.fummi@univr.it 045 802 7994

Giacobazzi Roberto

roberto.giacobazzi@univr.it +39 045 802 7995

Manca Vincenzo

vincenzo.manca@univr.it 045 802 7981

Masini Andrea

andrea.masini@univr.it 045 802 7922

Mastroeni Isabella

isabella.mastroeni@univr.it +39 045 802 7089

Merro Massimo

massimo.merro@univr.it 045 802 7992

Monti Francesca

francesca.monti@univr.it 045 802 7910

Morato Laura Maria

laura.morato@univr.it 045 802 7904

Posenato Roberto

roberto.posenato@univr.it +39 045 802 7967

Pravadelli Graziano

graziano.pravadelli@univr.it +39 045 802 7081

Segala Roberto

roberto.segala@univr.it 045 802 7997

Solitro Ugo

ugo.solitro@univr.it +39 045 802 7977
Marco Squassina,  5 gennaio 2014

Squassina Marco

marco.squassina@univr.it +39 045 802 7913

Vigano' Luca

luca.vigano@univr.it

Villa Tiziano

tiziano.villa@univr.it +39 045 802 7034

Piano Didattico

Il piano didattico è l'elenco degli insegnamenti e delle altre attività formative che devono essere sostenute nel corso della propria carriera universitaria.
Selezionare il piano didattico in base all'anno accademico di iscrizione.

InsegnamentiCreditiTAFSSD
5
A
(INF/01)
InsegnamentiCreditiTAFSSD
InsegnamentiCreditiTAFSSD
InsegnamentiCreditiTAFSSD

1° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD
5
A
(INF/01)

2° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD

3° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD

4° Anno

InsegnamentiCreditiTAFSSD
Insegnamenti Crediti TAF SSD
Tra gli anni: 4°- 5°Tre insegnamenti a scelta tra i seguenti
5
S
(MAT/02)

Legenda | Tipo Attività Formativa (TAF)

TAF (Tipologia Attività Formativa) Tutti gli insegnamenti e le attività sono classificate in diversi tipi di attività formativa, indicati da una lettera.




SStage e tirocini presso imprese, enti pubblici o privati, ordini professionali

Codice insegnamento

4S00034

Crediti

5

Settore Scientifico Disciplinare (SSD)

FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE

Lingua di erogazione

Italiano

Periodo

1° Q dal 2-ott-2008 al 19-dic-2008.

Obiettivi formativi

Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandogli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.

Programma

Richiami di Fisica 1 e 2:

campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura

Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame):

Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione

Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori:

struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori

Effetto Hall

Cenni alla teoria a bande:

banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande

Giunzione p-n:

giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown

Diodo a giunzione:

circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione

(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati:

diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato

Transistor a effetto di campo:

MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore

Transistor bipolare a giunzione:

non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità

Altri dispositivi a semiconduttore:

fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni

Circuiti digitali elementari:

gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out

Attività di Laboratorio: verranno svolte esercitazioni che prevedono l'uso del software Spice.

(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti

Bibliografia

Testi di riferimento
Autore Titolo Casa editrice Anno ISBN Note
Paolo Spirito Elettronica digitale (Edizione 1) McGraw-Hill 1998 8838607664
Jacob Millman, Christos C. Halkias Microelettronica (Edizione 1) Bollati-Boringhieri 1997 8833950476
Jacob Millman, Arvin Grabel Microelettronica (Edizione 2) McGraw-Hill 1994 8838606781
Giovanni Soncini Tecnologie microelettroniche (Edizione 1) Boringhieri 1986 8833953955

Modalità d'esame

Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.

Materiale Didattico

Tipologia di Attività formativa D e F

Anno accademico:

Insegnamenti non ancora inseriti

Prospettive


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Ulteriori servizi

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