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03-oct |
Giov |
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Introduzione, leggi dell'elettrostatica, campo
elettrico, potenziale elettrostatico, forza di Lorentz |
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1 |
04-oct |
Ven |
3 |
Conduzione nei metalli, modello di Drude, legge di
Ohm, reti elettriche lineari, teorema di Thevenin, teorema di Norton |
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2 |
10-oct |
Giov |
2 |
Elementi di struttura della materia, legami
cristallini, atomo di Bohr |
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2 |
11-oct |
Ven |
3 |
Elementi di meccanica quantistica, struttura
dell'atomo, modello a bande di energia, isolanti, semiconduttori, metalli,
distribuzione di Fermi-Dirac |
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3 |
17-oct |
Giov |
2 |
Legame covalenti, semiconduttori intrinseci,
semiconduttori drogati tipo p e tipo n, corrente di deriva e corrente di
diffusione |
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3 |
18-oct |
Ven |
3 |
Equazione di continuita', effetto Hall, Memristor,
giunzione p-n |
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4 |
24-oct |
Giov |
2 |
Diodo, polarizzazione diretta e inversa, bande di
energia, potenziale di contatto |
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4 |
25-oct |
Ven |
3 |
Caratteristica tensione-corrente del diodo, modello
diodo reale, capacita' della giunzione inversa, diodo varicap, diodo Zener |
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5 |
31-oct |
Giov |
2 |
Applicazioni diodo : circuiti raddrizzatori,
clamper, duplicatore, ponte di Graetz |
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6 |
07-nov |
Giov |
2 |
Capacita' della giunzione diretta, tempo di
commutazione, diodo tunnel, diodo Schottky |
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6 |
08-nov |
Ven |
3 |
Dispositivi optoelettronici: fotodiodo, diodo
p-I-n, LED, cella fotovoltaica, diodo laser, laser a cascata quantica.
Esercizi microcap : introduzione e descrizione del programma. |
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7 |
14-nov |
Giov |
2 |
Transistor bopolar a giunzione (BJT), polarizzazione
normale, barriera di pootenziale, bande di energia, distribuzione delle
correnti |
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7 |
15-nov |
Ven |
3 |
BJT: montaggio a base comune e parametro alfa,
montaggio ad emettitore comune e guadagno in corrente, derivazione equazioni
Ebers-Moll |
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8 |
21-nov |
Giov |
NO |
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8 |
22-nov |
Ven |
NO |
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9 |
28-nov |
Giov |
NO |
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9 |
29-nov |
Ven |
3 |
BJT: caratteristiche uscita/ingresso base comune,
emettitore comune, collettore comune, effetto Early, Ebers-Moll modello
completo |
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10 |
05-dec |
Giov |
2 |
BJT : interruttore, invertitore, RTL, sorgente di
corrente, reazione di emettitore, reazione di collettore |
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10 |
06-dec |
Ven |
3 |
BJT : valori tipici delle tensioni, cut-off,
saturazione, valori massimi tensioni; tempi di risposta; regime sinusoidale:
amplificatore base comune, emettitore comune, collettore comune |
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11 |
12-dec |
Giov |
2 |
Parametri ibridi BJT; transistor a ad effetto di
campo a giunzione JFET, principio di funzionamento, caratteristiche tensione
corrente |
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11 |
13-dec |
Ven |
3 |
MOSFET: principio di funzionamento, caratteristiche
tensione-corrente, transconduttanza, resistenza di drain, regime sinusidale
per piccoli segnali. Esercizi microcap : RC analisi temporale, diodo analisi
DC, circuito raddrizzatore analisi temporale, BJT analisi DC |
12 |
19-dec |
Giov |
2 |
FET : confronto JFET et MOSFET, polarizzazione
JFET, amplificatore source comune, drain comune, gate comune; resistenza
comandata da tensione; interruttore; invertitore JFET; invertitore MOSFET;
logica n-MOS, logica CMOS |
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12 |
20-dec |
Ven |
3 |
CMOS : analisi della caratteristica
ingresso-uscita, porta logica NOT. Esercizi microcap : invertitore BJT
analisi dinamica, n-MOS analisi DC, p-MOS analisi DC, invertitore n-MOS con
resistenza analisi dinamica, invertitore CMOS analisi dinamica |
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13 |
09-janv |
Giov |
2 |
Porte logiche CMOS |
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13 |
10-janv |
Ven |
3 |
Dispositivi display e schermi - esercizi microcap |
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tot. 55 |
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